三星电子升级中国西安工厂至286层NAND闪存工艺

三星电子宣布加速推进中国西安存储芯片工厂的升级计划，将NAND闪存工艺从128层直接提升至286层，以应对全球半导体市场的低迷和中国本土企业的竞争。西安工厂对三星全球供应链至关重要，占其NAND闪存产量的40%。此次升级预计提升生产效率和产品竞争力。美国政府授予VEU许可为三星在中国生产先进NAND闪存提供政策保障。此外，三星在韩国也积极扩展先进NAND闪存工艺，计划2024年下半年实现400层NAND闪存量产。