CASA立项《HEMT功率器件用硅衬底氮化镓外延片》1项团体标准

2025年2月24日，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASAS）通过了《HEMT器件用硅衬底氮化镓外延片》团体标准立项建议，旨在规范Si衬底GaN外延材料的关键参数、测试方法等，以确保其在制造GaN功率器件中的应用性能。晶湛半导体作为行业领军企业，在8英寸和12英寸硅基氮化镓外延片技术上取得了重要进展，并拥有广泛的国际合作和技术积累。